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EUV微影
極紫外光半導體製程核心技術
英文/別名EUV、極紫外光微影
完整解釋
極紫外光微影使用約 13.5 奈米波長的極紫外光,透過光罩與複雜光學系統把電路圖形轉移到晶圓上,是先進半導體製造的重要微影技術。它可減少部分製程所需的多重曝光,但仍須與光阻、光罩、量測、蝕刻與製程控制共同運作。
閱讀與辨別重點
13.5 奈米是光源波長,不是晶片的「製程節點」;兩個奈米數字代表不同概念。
參考來源
以下來源用於核對定義與辨讀重點;本站內容為整理與改寫。
- Wikipedia:EUV微影Wikipedia