EUV微影

極紫外光半導體製程核心技術

英文/別名EUV、極紫外光微影

完整解釋

極紫外光微影使用約 13.5 奈米波長的極紫外光,透過光罩與複雜光學系統把電路圖形轉移到晶圓上,是先進半導體製造的重要微影技術。它可減少部分製程所需的多重曝光,但仍須與光阻、光罩、量測、蝕刻與製程控制共同運作。

閱讀與辨別重點

13.5 奈米是光源波長,不是晶片的「製程節點」;兩個奈米數字代表不同概念。

參考來源

以下來源用於核對定義與辨讀重點;本站內容為整理與改寫。

  1. Wikipedia:EUV微影Wikipedia

本站相關文章